Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ990EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ990EP
SQJ990EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQJ990EP-T1_GE3, PowerPAK SO-8 paketinde sunulan dual N-channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 34A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (30nC) ve optimize edilmiş RDS(on) değerleri (40mOhm @ 6A, 10V) sayesinde anahtarlama verimliliği arttırır. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel uygulamalar gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, 48W maksimum güç dağıtımı özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V, 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1390pF @ 25V, 650pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 48W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok