Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ980AEP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ980AEP
SQJ980AEP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ980AEP-T1_GE3, dual N-channel MOSFET transistördür. 75V drain-source gerilimi ve 17A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK SO-8 paketinde surface mount olarak sunulmaktadır. RDS(on) değeri 10V gate geriliminde 50mOhm olup, anahtarlama uygulamalarında düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilmekte ve 34W maksimum güç tüketebilmektedir. Güç kaynağı yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 35V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TA) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok