Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ968EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ968EP
SQJ968EP-T1_GE3 Hakkında
SQJ968EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu komponent, 60V drain-source geriliminde çalışabilir ve 23.5A sürekli dren akımı sağlar. 33.6mΩ kapalı durum direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı karakteristiğine sahiptir. 42W maksimum güç disipasyonu kapasitesi bulunmaktadır. -55°C ile 175°C arasında güvenli bir şekilde çalışabilir. Gate charge değeri 18.5nC (10V'da) olup, 2.5V threshold gerilimindedir. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, sürücü devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 714pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TA) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33.6mOhm @ 4.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok