Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ963EP-T1_GE3
MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ963EP
SQJ963EP-T1_GE3 Hakkında
SQJ963EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerde ve motor kontrol uygulamalarında yer alır. 85mOhm maksimum on-direnç değeri ve -55°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığı, geniş uygulama yelpazesini destekler. 27W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1140pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TA) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok