Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ962EP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ962EP
SQJ962EP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SQJ962EP-T1-GE3, PowerPAK SO-8 paketinde yer alan dual N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 8A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, logic level gate kontrol özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol devrelerinde kullanılabilir. 60mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. İşletme sıcaklık aralığı -55°C ile 175°C arasında değişmektedir. Güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılan bir komponenttir. Dikkat: Bu ürün obsolete (üretilmeyen) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok