Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ960EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 8A
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ960EP
SQJ960EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ960EP-T1_GE3, dual N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı ile çalışır. Logic Level Gate özelliğine sahip olup, 10V'de 20nC gate charge değerine ve 10V/5.3A'de 36mOhm Rds(on) değerine sahiptir. PowerPAK SO-8 Dual paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 34W güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devrelerinde ve düşük gerilim anahtarlama işlemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 735pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 34W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 5.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok