Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ958EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ958EP
SQJ958EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ958EP-T1_GE3, dual N-channel MOSFET transistör olup PowerPAK SO-8 paketinde sunulmaktadır. 60V drain-source voltaj (Vdss) ile çalışan bu bileşen, 20A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. RDS(on) değeri 34.9mΩ olup, 35W maksimum güç yönetebilir. -55°C ile 175°C arasında işletme sıcaklığında çalışabilir. Gate charge (Qg) 23nC ve input capacitance (Ciss) 1075pF değerleriyle yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Motor kontrol, güç yönetim devreleri, anahtarlama kaynakları ve güç dönüştürücüleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1075pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 35W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34.9mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok