Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ956EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ956EP
SQJ956EP-T1_GE3 Hakkında
SQJ956EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj derecelendirmesi ile elektrik ve elektronik devrelerinde anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 23A sürekli dren akımı kapasitesi, 26.7mOhm maksimum RDS(on) değeri ve 34W maksimum güç yönetimi özelliği ile verimli enerji kontrolü sağlar. PowerPAK SO-8 paketlemesi, yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında kullanılabilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında yer alır. Kapı şarjı 30nC ve giriş kapasitansi 1395pF özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1395pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 34W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26.7mOhm @ 5.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok