Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ952EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ952EP
SQJ952EP-T1_GE3 Hakkında
SQJ952EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu komponent, 60V drain-source voltajı ve 23A sürekli dren akımı özelliğine sahiptir. 20mOhm on-state direnci (Rds(on)) sayesinde düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve inverter tasarımlarında kullanılır. 25W maksimum güç tüketim kapasitesi ile kompakt uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 10.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok