Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ951EP-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ951EP
SQJ951EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQJ951EP-T1_GE3, 30V Drain-Source voltajında ve 30A sürekli drenaj akımında çalışan dual P-Channel MOSFET transistörüdür. PowerPAK SO-8 Dual yüzey montajlı paket içerisinde iki adet P-kanal FET barındırır. 17mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu bileşen, güç yönetimi, batarya koruma devreleri, ses sistemleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır. Gate Charge 50nC ve Input Capacitance 1680pF olan cihaz, hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1680pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 56W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok