Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SQJ951EP-T1_BE3

MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK® SO-8 Dual
Seri / Aile Numarası
SQJ951EP

SQJ951EP-T1_BE3 Hakkında

Vishay SQJ951EP-T1_BE3, dual P-Channel MOSFET transistörü olup 30V drain-source voltajında 30A sürekli drenaj akımı sağlar. PowerPAK SO-8 Dual paket içerisinde yerleştirilmiş olan bu komponent, 17mOhm açılı devre direnci (RDS On) ile düşük güç kaybı sağlar. Maximum 56W güç yönetimini destekler ve -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışır. Gate charge karakteristiği 50nC @ 10V olup, 1680pF input kapasitansiyle hızlı komutasyon özelliği sunar. Endüstriyel uygulamalar, anahtarlama devreleri, güç yönetimi sistemleri ve motor kontrolü gibi alanlarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1680pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status Active
Power - Max 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 7.5A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok