Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ946EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ946EP
SQJ946EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ946EP-T1_GE3, PowerPAK SO-8 paketinde iki adet N-Channel MOSFET içeren dual transistör dizisidir. 40V drain-source geriliminde 15A sürekli akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, düşük on-direnç değeri (Rds On: 33mOhm @ 7A, 10V) ile verimli güç iletkeni görevini yerine getirir. Gate şarjı 20nC olarak sınırlandırılmış bu transistör, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, maksimum 27W güç tüketebilir. DC-DC konverterler, motor kontrolü, güç anahtarlaması ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilen bir üründür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 27W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok