Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ942EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Seri / Aile Numarası
- SQJ942EP
SQJ942EP-T1_GE3 Hakkında
SQJ942EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu komponent, 40V drain-source voltajı ile çalışır ve 15A~45A arasında sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 22mΩ~11mΩ arasında değişen RDS(on) değerleri ile düşük direnç özellikleri gösterir. -55°C ile 175°C arasında işletme sıcaklığında kararlı çalışır. Hızlı anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Surface mount teknolojisi ile PCB entegrasyonu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc), 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 17W, 48W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok