Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ941EP-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ941EP
SQJ941EP-T1-GE3 Hakkında
SQJ941EP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 8A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük voltaj uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gate voltajı ile çalıştırılabilir. PowerPAK SO-8 dual paket ile surface mount uygulamalarına uygundur. Anahtarlama devreleri, güç denetimi, load switching ve benzer analog/dijital kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 55W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. Ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 55W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok