Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ940EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ940EP
SQJ940EP-T1_GE3 Hakkında
SQJ940EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 40V drain-source gerilimi ve 15A (Ta) / 18A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalıştırılabilir. 16mOhm (10V, 15A şartlarında) on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 48W maksimum güç hızındırması ile endüstriyel ve tüketici elektronik ürünlerinde tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta), 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 896pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 48W, 43W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok