Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ912DEP-T1_GE3
AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ912DEP
SQJ912DEP-T1_GE3 Hakkında
SQJ912DEP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen automotive uyumlu dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 40V drain-source voltaj ile çalışan bu bileşen, 30A sürekli drain akımı kapasitesi ve 7.3mOhm on-state direnç ile güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 Dual paketinde sunulan komponent, otomotiv endüstrisi, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 27W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. Gate charge değeri 36nC olup, düşük gate threshold voltajı (2.5V) ile hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok