Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ912BEP-T1_GE3
MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ912BEP
SQJ912BEP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ912BEP-T1_GE3, dual N-channel MOSFET transistörü olup 40V drain-source voltajında çalışır. Maksimum 30A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir ve düşük 11mOhm on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. PowerPAK® SO-8 Dual paket türünde yüzey montajı için tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Motor kontrolü, güç yönetimi, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok