Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ912AEP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ912AEP
SQJ912AEP-T1_GE3 Hakkında
SQJ912AEP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör olup, 40V drain-source gerilimi ve 30A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 9.3mΩ (10V, 9.7A) on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. 2.5V gate threshold voltajı ile hızlı açılıp kapanma özelliği sunar. Bileşenin durumu obsolete olup, yeni tasarımlarda alternatif seçenekler değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1835pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 48W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 9.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok