Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ910AEP-T2_GE3
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ910AEP
SQJ910AEP-T2_GE3 Hakkında
SQJ910AEP-T2_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source voltaj rating ve 30A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 Dual yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç dönüştürme, anahtar devreler ve yüksek akımlı uygulamalarda tercih edilir. 7mOhm on-resistance ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun özelliklere sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1869pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok