Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ910AEP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ910AEP
SQJ910AEP-T1_GE3 Hakkında
SQJ910AEP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source voltajında ve 30A sürekli drenaj akımında çalışabilir. 7mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile düşük ısı kaybı sağlayan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrolü sistemlerinde ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1869pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 48W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok