Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ844AEP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ844AEP
SQJ844AEP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ844AEP-T1_GE3, dual N-Channel MOSFET transistör olup 30V Drain-Source voltajında 8A sürekli akım kapasitesine sahiptir. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu komponent, 16.6mOhm maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılabilir. 26nC gate charge ve 1161pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1161pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 48W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.6mOhm @ 7.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok