Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ570EP-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ570EP
SQJ570EP-T1_GE3 Hakkında
SQJ570EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen 100V Drain-Source gerilimi ile çalışan komplementer N-Channel ve P-Channel MOSFET dizisidir. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 15A (N-Channel) ve 9.5A (P-Channel) kontinü akım kapasitesine sahiptir. Düşük on-state direnci (45mOhm N-Channel, 146mOhm P-Channel @ 6A, 10V) ile güç uygulamalarında verimli performans sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığındaki uygulamalara uygunluk gösterir. Anahtarlama, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc), 9.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V, 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 25V, 600pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 27W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok