Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ560EP-T1_GE3
MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ560EP
SQJ560EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ560EP-T1_GE3, PowerPAK SO-8 paketinde üretilen dual N-channel ve P-channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi (Vdss) ile çalışan bu komponent, 30A (N-Ch) ve 18A (P-Ch) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 12mΩ ile 52.6mΩ arasında değişen on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. Maksimum 34W güç yönetebilen bu transistör dizisi, -55°C ile 175°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Surface mount teknolojisi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc), 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V, 45nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1650pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok