Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ504EP-T1_GE3
MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ504EP
SQJ504EP-T1_GE3 Hakkında
SQJ504EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual MOSFET dizi bileşenidir. N-channel ve P-channel transistörleri aynı pakette içeren bu komponent, PowerPAK® SO-8 dual paket ile sunulmaktadır. 40V Drain to Source gerilim derecesinde çalışabilen bileşen, 30A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 7.5mOhm ile 17mOhm arasında değişen RDS(on) değerleri ile düşük iletim kaybı sağlar. 30nC ile 85nC arasında gate charge değerleri hızlı anahtarlama uygulamalarına olanak tanır. -55°C ile 175°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığına sahip olan bileşen, güç yönetimi, DC-DC konvertörler, motor sürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V, 85nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok