Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ500AEP-T1_GE3
MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ500AEP
SQJ500AEP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ500AEP-T1_GE3, dual N ve P-channel MOSFET transistörü olup 40V drain-source gerilim desteği ile tasarlanmıştır. 30A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 27mOhm on-resistance değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 SMD paketlemesi ile kompakt devreler için uygun olan bu komponent, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 48W maksimum güç tüketimi belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38.1nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 48W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok