Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ500AEP-T1_BE3
MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Seri / Aile Numarası
- SQJ500AEP
SQJ500AEP-T1_BE3 Hakkında
SQJ500AEP-T1_BE3, Vishay tarafından üretilen dual N/P kanal MOSFET transistördür. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 40V drain-source voltaj desteği ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 30A sürekli drain akımı kapasitesi ve düşük on-direnç (9.2mOhm @ 9.8A, 10V) sayesinde verimli güç aktarımı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 48W maksimum güç kapasitesi ile kompakt tasarımlarda entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38.3nC @ 10V, 45nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1843pF @ 20V, 1628pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 27mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA, 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok