Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ264EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 60 V (
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ264EP
SQJ264EP-T1_GE3 Hakkında
SQJ264EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen otomotiv uygulamaları için tasarlanmış dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. PowerPAK® SO-8 Dual asimetrik paketlemesi ile yüksek entegrasyon sağlar. 60V drain-source gerilimi ile orta voltaj uygulamalarında kullanılır. 20A ve 54A arasında değişen sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor sürücüsü kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. Düşük gate charge değerleri (16nC, 32nC) hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. RDS(on) değerleri 20mΩ (6A) ile 8.6mΩ (10A) arasında değişmektedir. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklığı aralığında otomotiv endüstrisinin zorlu koşullarında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc), 54A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V, 32nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 25V, 2100pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 27W (Tc), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6A, 10V, 8.6mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok