Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ262EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ262EP
SQJ262EP-T1_GE3 Hakkında
SQJ262EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 60V Drain-Source gerilim desteği ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 15A-40A sürekli dren akımı kapasitesi, düşük RDS(on) değerleri (15.5mOhm - 35.5mOhm) ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) sayesinde motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V, 23nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 27W (Tc), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok