Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ260EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ260EP
SQJ260EP-T1_GE3 Hakkında
SQJ260EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 60V Vdss ile çalışabilir ve sürekli drenaj akımı 54A'e kadar ulaşabilir. Düşük RDS(On) değerleri (8.5mOhm @ 10A, 10V) sayesinde enerji kaybı minimize edilir. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışan bu FET, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC/DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 27W ile 48W arasında güç dağıtabilir ve hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc), 54A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V, 40nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 27W (Tc), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok