Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ244EP-T1_GE3
MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ244EP
SQJ244EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ244EP-T1_GE3, dual N-channel MOSFET transistörü olup PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 40V Drain-Source gerilim ve 20A/60A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Asimetrik dual yapısı sayesinde farklı akım seviyelerine sahip iki transistör tek paketin içinde bulunmaktadır. Düşük on-state direnci (RDS(on)) 4.5mOhm ile verimli anahtarlama sağlar. DC-DC konvertörler, motor sürücüler, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V, 45nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 27W (Tc), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok