Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ208EP-T1_GE3
MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ208EP
SQJ208EP-T1_GE3 Hakkında
SQJ208EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric kasa tipinde gelen bu bileşen, 40V drain-source gerilimi ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. 20A (veya 60A) sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, 3.9mOhm ile 9.4mOhm arasında değişen RDS(on) değerleri sunmaktadır. Düşük gate charge (33nC-75nC) ve input capacitance (1700pF-3900pF) özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. LED sürücüleri, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V, 75nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 25V, 3900pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 27W (Tc), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 6A, 10V, 3.9mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA, 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok