Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ204EP-T1_GE3
MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ204EP
SQJ204EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ204EP-T1_GE3, PowerPAK SO-8 paketinde sunulan dual N-channel MOSFET transistördür. Asimetrik yapıya sahip bu komponent, 12V Drain-Source geriliminde çalışır ve sürekli drenaj akımı olarak 20A ile 60A arasında kapasite sağlar. Düşük RDS(On) değerleri (8.3mΩ @ 4A ve 3mΩ @ 10A) sayesinde güç kaybını minimize eder. Sürücü devreler, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi sistemleri ve voltaj regülatörlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Surface mount tasarımı modern elektronik tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V, 50nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 27W (Tc), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok