Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ202EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ202EP
SQJ202EP-T1_GE3 Hakkında
SQJ202EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörleridir. 12V drain-source gerilimi ve 20A/60A kontinü dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 Dual Asymmetric paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnç (6.5mΩ @ 15A, 10V) sayesinde anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC konvertörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir, 27W/48W güç yönetimi kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A, 60A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 975pF @ 6V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 27W, 48W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok