Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ200EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ200EP
SQJ200EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQJ200EP-T1_GE3, PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan dual N-Channel MOSFET'tir. 20V Drain-Source geriliminde 20A ve 60A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8.8mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlayarak güç kaybını minimize eder. Gate charge 18nC olup hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrol, DC/DC dönüştürücüler, enerji dağıtım sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A, 60A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 975pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 27W, 48W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok