Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQ9945BEY-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.4A
SQ9945BEY-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQ9945BEY-T1_GE3, dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 60V drain-source gerilim kapasitesi ile 5.4A sürekli drenaj akımı sağlar. Logic level gate özelliğine sahip olup 10V'ta 64mOhm'luk düşük on-resistance değerine ulaşır. Gate charge 12nC (@10V) ve input capacitance 470pF (@25V) olarak tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 4W maksimum güç dağıtabilir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulur. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılan yüksek entegrasyon yoğunluğuna sahip bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok