Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQ9945BEY-T1_BE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.4A
SQ9945BEY-T1_BE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQ9945BEY-T1_BE3, dual N-Channel MOSFET transistör olup 60V drain-source gerilimi ile çalışır. 5.4A sürekli drain akımı kapasitesi sayesinde orta güç uygulamalarında tercih edilir. 64mOhm RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. SOIC-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 2.5V gate eşik gerilimi ile düşük kontrol gerilimi gerektiren devrelere uygun hale getirilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu MOSFET, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü, güç anahtarlaması ve yük yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok