Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQ4961EY-T1_GE3
MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8
SQ4961EY-T1_GE3 Hakkında
SQ4961EY-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj rating'i ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 4.4A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, 85mOhm on-resistance değeri ile verimli anahtarlama işlemleri sağlar. SO8 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. Gate charge 40nC olup hızlı anahtarlama özelliği sunar. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Power management, motorlar kontrol devrelerinde, çoklu anahtarlama uygulamalarında ve gerilim regülatörlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1140pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok