Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQ4949EY-T1_GE3
MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC
SQ4949EY-T1_GE3 Hakkında
SQ4949EY-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj (Vdss) ile çalışabilen bu bileşen, 7.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey monte paket ile sunulan transistör, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 35mOhm RDS(ON) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Özellikle DC-DC konverterler, güç dağıtım modülleri ve anahtarlamalı güç kaynakları tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok