Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQ4946AEY-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 7A
SQ4946AEY-T1_GE3 Hakkında
SQ4946AEY-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen 60V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drain akımı ile çalışır. 40mOhm (10V, 4.5A koşullarında) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey monte paketi ile compact tasarımlara uyum gösterir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve ses amplifikatörleri gibi alanlarda kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Maksimum 4W güç dağıtabilir. Gate charge 18nC ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok