Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQ4920EY-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
SQ4920EY-T1_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQ4920EY-T1_GE3, 30V drain-source voltajında çalışabilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 8A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama ve sürücü uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük kontrol voltajı gereksinimiyle (2.5V eşik voltajı) çalışabilir. 14.5mΩ on-direnç değeriyle verimliliği sağlar. -55°C ile 175°C arasında sıcaklıklarda çalışan bu bileşen, 8-SOIC yüzey montaj paketi ile motor kontrolleri, güç dönüştürücüleri, anahtarlama devreleri ve mikrodenetleyici uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1465pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 4.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok