Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQ4917EY-T1_GE3
MOSFET 2 P-CHANNEL 60V 8A 8SO
SQ4917EY-T1_GE3 Hakkında
SQ4917EY-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 8A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 48mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 5W maksimum güç yönetimi kapasitesi ile güç denetim devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve analog anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1910pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 4.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok