Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQ4282EY-T1_GE3
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
SQ4282EY-T1_GE3 Hakkında
SQ4282EY-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 8A sürekli drain akım kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 12.3mΩ (@ 15A, 10V) düşük RDS(on) direnci sayesinde verimli enerji iletimini sağlar. -55°C ~ 175°C geniş çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve otomotiv devre tasarımlarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrollerinde ve güç dağıtım sistemlerinde uygulanmaktadır. 2.5V kapı eşik voltajı (Vgs(th)) ile uyumlu kontrol sinyalleri yeterlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2367pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.9W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok