Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQ3989EV-T1_GE3
MOSFET 2 P-CH 30V 2.5A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SQ3989EV
SQ3989EV-T1_GE3 Hakkında
SQ3989EV-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 2.5A sürekli akım kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtar uygulamalarında kullanılır. 155mOhm on-state direnç değeri ile verimli enerji transferi sağlar. SOT-23-6 (TSOT-23-6) yüzey monte paketinde sunulmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Güç kaynağı kontrolü, batarya yönetim sistemleri, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 1.67W maksimum güç dağıtım kapasitesi ve 11.1nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtar geçişlerini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.1nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.67W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 400mA, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok