Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQ3987EV-T1_GE3
MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 3A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SQ3987EV
SQ3987EV-T1_GE3 Hakkında
SQ3987EV-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistörüdür. 30V Vdss ve 3A continuous drain akımı ile çalışan bu bileşen, 6-TSOP (SOT-23-6) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 133mOhm RDS(on) değeri (1.5A, 10V koşullarında) ile düşük geçiş direnci sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç uygulamaları, anahtarlama devreleri ve yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılır. 12.2nC gate charge ve 570pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren tasarımlara uygundur. 1.67W maksimum güç kapasitesi ile kompakt ve verimli çözümler sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.67W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 133mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok