Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQ3985EV-T1_GE3
MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SQ3985EV
SQ3985EV-T1_GE3 Hakkında
SQ3985EV-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj kapasitesi ve 3.9A sürekli drain akımı ile çalışır. 6-TSOP (SOT-23-6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 145mOhm RDS(on) değerine sahiptir. Gate charge 4.6nC ve input capacitance 350pF karakteristikleriyle tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, düşük güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve güç dağıtım sistemlerinde kullanılır. Aktif üretim durumundadır ve 3W maksimum güç kapasitesi ile sınırlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok