Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQ3985EV-T1_BE3
MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SQ3985EV
SQ3985EV-T1_BE3 Hakkında
SQ3985EV-T1_BE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilimi, 3.9A sürekli drenaj akımı ve 145mOhm on-state direnci ile cihazlar tasarlanmıştır. SOT-23-6 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri ve düşük güç tüketimli elektronikte yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. 4.6nC gate charge ve 350pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Genellikle pil yönetim sistemleri, şarj kontrol devreleri ve analog switch uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok