Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQ3585EV-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SQ3585EV
SQ3585EV-T1_GE3 Hakkında
SQ3585EV-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N ve P-Channel MOSFET dizisi transistördür. SOT-23-6 (TSOT-23-6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 20V Drain-Source voltajı ve maksimum 3.57A (N-Channel) / 2.5A (P-Channel) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. RDS(on) değerleri sırasıyla 77mOhm ve 166mOhm olup, 1A akımda 4.5V gate voltajında ölçülmüştür. Gate eşik gerilimi (Vgs(th)) maksimum 1.5V'tur. Çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 175°C arasında değişmektedir. Maksimum güç harcaması 1.67W'tır. Bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.57A (Tc), 2.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.67W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok