Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQ1922AEEH-T1_GE3
MOSFET N-CH DUAL 20V .85A SOT-36
SQ1922AEEH-T1_GE3 Hakkında
SQ1922AEEH-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilimi ve 850mA sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, 6-TSSOP/SC-88/SOT-363 SMD paketinde sunulmaktadır. 300mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. 1.2nC gate charge ve 60pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu MOSFET, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde uygulanmaktadır. 4.5V gate geriliminde 2.5V eşik gerilimi ile TTL/CMOS lojik seviyelerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 850mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 400mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok