Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQ1912EH-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
SQ1912EH-T1_GE3 Hakkında
SQ1912EH-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörleridir. SC70-6 (SOT-363) paketinde sunulan bu bileşen, 20V drain-source voltaj ve 800mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 280mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 1.15nC gate charge ve 75pF input capacitance karakteristikleriyle hızlı anahtarlama operasyonları için tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunarak, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve portable elektronik uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.15nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok