Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQ1912AEEH-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6
SQ1912AEEH-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQ1912AEEH-T1_GE3, dual N-channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajı ile çalışan bu bileşen, 800mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 1.5W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. 280mOhm on-dirençi (Rds On) düşük kayıplar sağlar. SC70-6 (SOT-363) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve genel dijital lojik alanlarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.25nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 27pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok